सन् 1916 में वैज्ञानिक डब्ल्यू. कोसेल और जी.एन. लूइस ने स्वतंत्र रूप से उत्कृष्ट गैसों के अक्रिय विन्यास के आधार पर रासायनिक आबंधन का इलेक्ट्रॉनिक सिद्धांत प्रस्तुत किया। परमाणु अपने सबसे बाहरी कोश में निकटतम उत्कृष्ट गैस जैसा आठ इलेक्ट्रॉनों वाला विन्यास ($ns^2 np^6$, या हीलियम जैसा $1s^2$) प्राप्त कर स्थायित्व अर्जित करते हैं, जिसे अष्टक नियम (Octet Rule) कहते हैं। यह दो विधियों से संभव होता है:
- विद्युतसंयोजक (आयनिक) आबंधन: एक अत्यधिक विद्युतधनात्मक परमाणु से अत्यधिक विद्युतऋणात्मक परमाणु की ओर संयोजकता इलेक्ट्रॉनों के पूर्ण स्थानांतरण द्वारा (कोसेल)।
- सहसंयोजक आबंधन: दो परमाणुओं के मध्य परस्पर इलेक्ट्रॉन युग्मों के समान सहभाजन (साझेदारी) द्वारा (लूइस)।
यद्यपि यह नियम द्वितीय आवर्त के तत्वों के लिए अत्यंत सफल रहा, किंतु इसके तीन प्रमुख अपवाद हैं:
- केंद्रीय परमाणु का अपूर्ण अष्टक (इलेक्ट्रॉन-न्यून अणु): केंद्रीय परमाणु के संयोजकता कोश में 8 से कम इलेक्ट्रॉन होते हैं (जैसे $\text{LiCl}$ में 2, $\text{BeH}_2$ में 4, $\text{BF}_3$ व $\text{AlCl}_3$ में 6 इलेक्ट्रॉन)।
- विषम-इलेक्ट्रॉन अणु (Odd-Electron Molecules): अणु में कुल संयोजकता इलेक्ट्रॉनों की संख्या विषम होने के कारण सभी परमाणुओं का अष्टक पूर्ण नहीं हो पाता (जैसे नाइट्रिक ऑक्साइड $\text{NO}$ में 11, नाइट्रोजन डाइऑक्साइड $\text{NO}_2$ में 17 इलेक्ट्रॉन)। ये अणु अनुचुंबकीय होते हैं।
- प्रसारित अष्टक (Expanded Octet / Hypervalent Molecules): तृतीय व उच्चतर आवर्तों के तत्वों के पास रिक्त $3d$ कक्षक उपलब्ध होते हैं, अतः वे 8 से अधिक (10, 12 या 14) इलेक्ट्रॉन धारण कर सकते हैं (जैसे $\text{PCl}_5$ में 10, $\text{SF}_6$ में 12, $\text{IF}_7$ में 14 इलेक्ट्रॉन, $\text{H}_2\text{SO}_4$)।
किसी बहुपरमाण्विक अणु या आयन की लूइस बिंदु संरचना में उपस्थित किसी परमाणु पर आकलित काल्पनिक आवेश को उसका फॉर्मल आवेश (Formal Charge) कहते हैं, जहाँ यह माना जाता है कि प्रत्येक सहसंयोजक आबंध के इलेक्ट्रॉन परमाणुओं में बराबर बँटे हैं:
$$\text{FC} = V - L - \frac{1}{2}S$$
जहाँ:
$V = $ मुक्त परमाणु के संयोजकता इलेक्ट्रॉनों की संख्या
$L = $ अनाबंधी इलेक्ट्रॉनों (एकाकी युग्म इलेक्ट्रॉनों) की संख्या
$S = $ सहभाजित आबंधी इलेक्ट्रॉनों की संख्या (प्रत्येक एकल आबंध = 2 इलेक्ट्रॉन)
स्थायी लूइस संरचना चयन के नियम: जिस संरचना में फॉर्मल आवेश शून्य या न्यूनतम हों, वह सर्वाधिक स्थायी होती है। ऋण आवेश अधिक विद्युतऋणात्मक परमाणु पर होना चाहिए।
किसी ठोस आयनिक यौगिक के एक मोल क्रिस्टल को उसके गैसीय घटकीय आयनों में पूर्णतः पृथक करने हेतु आवश्यक ऊर्जा को उसकी जालक एन्थैल्पी ($\Delta_L H^\circ$) कहते हैं:
$$\text{NaCl}(s) \longrightarrow \text{Na}^+(g) + \text{Cl}^-(g); \quad \Delta_L H^\circ = +788 \text{ kJ/mol}$$जालक एन्थैल्पी को सीधे प्रायोगिक रूप से नहीं मापा जा सकता; हेस के नियम पर आधारित बॉर्न-हेबर चक्र (Born-Haber Cycle) द्वारा इसकी गणना की जाती है:
$$\Delta_f H^\circ = \Delta_{\text{sub}} H + \frac{1}{2}\Delta_{\text{diss}} H + \Delta_i H + \Delta_{\text{eg}} H - U_L$$आयनिक आबंध बनने की अनुकूल परिस्थितियाँ: धातु की कम आयनन एन्थैल्पी, अधातु की उच्च ऋणात्मक इलेक्ट्रॉन लब्धि एन्थैल्पी तथा क्रिस्टल जालक की उच्च जालक ऊर्जा।